eNews por NXP29 de maio de 2012

Na edição desta semana
Notícia
Press Releases
Novos produtos
Produtos Atualizado
Produtos da Semana
700-2800 MHz ampères digital do ganho variável
BGA7204BGA7204
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Alta linearidade (36 dBm@1.4 -2,1 GHz) através de uma grande largura de banda
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Roteamento inteligente chumbo produz design mais simples, diminui a pegada em 25%
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De economia de energia modo pode reduzir o consumo de corrente em sistemas TDD até 45%
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Configuração atual flexível economiza energia
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Diodo de proteção ESD em 0603 (0201) pacote
PESD5V0V1BSFPESD5V0V1BSF
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PESD5V0V1BSF em um DSN0603-2 (SOD962) sem chumbo pequeno pacote de ultra SMD
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Capacitância Cd = 3,5 pF, proteção ESD bidirecional de uma linha
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Proteção ESD até ± 15 kV de acordo com a IEC 61000-4-2
• 
Outros tipos nos mesmos pacotes estão disponíveis
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1,5-2,5 LNA GHz sem fio Infra
BGU7052BGU7052
• 
Ganho de potência de alta máxima em conjunto com baixo consumo de energia (80 mA)
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Ultrapassagem de alto débito de 20 dBm e proteção ESD alta em todos os pinos (HBM 4 kV; CDM 2 kV)
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Circuito de polarização integrado e 3,3 tensão de alimentação V
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Reduzido número de componentes externos (apenas 6 capacitores)
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    Leia mais sobre a atual campanha RF Unleash
Notícia
Cartões de identificação eletrônicos trazer valor para os cidadãos
Descubra como modernos polivalentes soluções de cartões inteligentes trazer valor real aos usuários finais. Pular para o nosso novo whitepaper que descreve como implementações de hoje nacionais de identidade electrónica Apoio ao Cidadão-centric governo eletrônico, serviços comerciais e muito mais. 
Leia mais ...
Press Releases
2012/05/24 - NXP lança VGAs digitais de banda larga com alta linearidade e flexíveis configurações atuais
State-of-the-art VGAs oferecer Operação em banda muito larga com baixo consumo de energia 
Leia mais ...
2012/05/22 - NXP oferece novos Automotive-Grade TrenchMOS
Trench 6 MOSFETs testes de vida completa estendida para alta confiabilidade 
Ler mais ...
Informações sobre o produto
Novos produtos
MOSFETs
N-canal 25 V 8,65 mOhm MOSFET nível lógico em LFPAK33 usando NextPower Tecnologia 
PSMN9R0-25MLC
30 V N-MOSFET canal Trench 
PMPB11EN
Transistores bipolares
NPN transistor resistor equipada; R1 = 22 kOhm, R2 = 22 kOhm 
PDTC124EMB
PNP transistor resistor equipada; R1 = 2,2 kOhm, R2 = 47 kOhm 
PDTA123JMB
PNP transistor resistor equipada; R1 = 10 kOhm, R2 = 10 kOhm 
PDTA114EMB
PNP transistor resistor equipada; R1 = 10 kOhm, R2 = 47 kOhm 
PDTA114YMB
NPN transistor resistor equipada; R1 = 2,2 kOhm, R2 = 47 kOhm 
PDTC123JMB
PNP transistor resistor equipada; R1 = 4,7 kOhm, R2 = 4,7 kOhm 
PDTA143EMB
NPN transistor resistor equipada; R1 = 10 kOhm, R2 = 47 kOhm 
PDTC114YMB
Produtos Atualizado
MOSFETs
N-canal 30 V 3,15 mohms MOSFET nível lógico em LFPAK33 usando NextPower Tecnologia 
PSMN3R0-30MLC (ATUALIZADO)
N-canal 25 V 4,15 mOhm MOSFET nível lógico em LFPAK33 usando NextPower Tecnologia 
PSMN3R9-25MLC (ATUALIZADO)
N-canal 30 V 13,5 mOhm MOSFET nível lógico em LFPAK33 usando NextPower Tecnologia 
PSMN013-30MLC (ATUALIZADO)
N-canal 30 V 7 mOhm MOSFET nível lógico em LFPAK33 usando NextPower Tecnologia 
PSMN7R0-30MLC (ATUALIZADO)
Diodes
Dupla poder diodo Schottky 
NXPS20H100CX (ATUALIZADO)
Dupla poder diodo Schottky 
NXPS20H110C (ATUALIZADO)
Gerenciamento de energia ICs
GreenChip síncrona retificador controlador 
TEA1792TS (ATUALIZADO)
Sobre a NXP Semiconductors
NXP Semiconductors NV (NASDAQ: NXPI) fornece sinais de alta performance mista e soluções normalizadas sobre os produtos que aproveitam a sua liderança RF, analógico, Power Management, Interface de Segurança, e experiência de Processamento Digital. Essas inovações são usados ​​em uma ampla gama de automóveis, a identificação, infra-estrutura sem fio, iluminação, industrial, móvel, aplicações de consumo e de computação. Uma empresa global de semicondutores, com operações em mais de 25 países, a NXP apresentou uma receita de US $ 4,2 bilhões em 2011. Informações adicionais podem ser encontradas visitando www.nxp.com .

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